买卖IC网 >> 产品目录 >> STD616AT4 两极晶体管 - BJT Hi Vltg NPN Pwr Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

STD616AT4

库存数量：可订货
制造商：STMicroelectronics
描述：两极晶体管 - BJT Hi Vltg NPN Pwr Transistor
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT Hi Vltg NPN Pwr Transistor
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制造商 STMicroelectronics
配置 Single
晶体管极性 NPN
集电极—基极电压 VCBO 1000 V
集电极—发射极最大电压 VCEO 450 V
发射极 - 基极电压 VEBO 12 V
集电极—射极饱和电压
最大直流电集电极电流 1.6 A
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe Min 17
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TO-252
相关资料
属性
链接
代理商 STD616AT4
STD65N3LLH5
STD65N55
STD65N55F3
STD65N55LF3
STD65N55T4
供应商
公司名
电话
深圳市时兴宇电子有限公司 0755-83041559 彭先生
深圳市晶美隆科技有限公司 0755-82519391 李林
深圳市琦凌凯科技有限公司 13316482149 彭先生
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深圳市科宏特电子有限公司 18897698645 李瑞兵
甄芯网 0755-83665813 柯
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  • STD616AT4 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价